обратный ток в rvg

Новиков В. А. Исследование морфологии и элект

Исследование явления возникновения ДЭП и электронных процессов связанных с ним в реальных КМП вызвало большой интерес со стороны ученых России. Уникальные научные результаты их фундаментальных исследований по ДЭП с использованием современных технологий и техники, остро необходимые для создания высококачественных, а также новых классов дискретных приборов и интегральных схем, систематически публиковалисьP в таких научных журналах как «Физика и техника полупроводников - 2008, 5, 546; 2010, 5, 615; 2010, 6, 767; 2011, 1, 70; 2011, 7, 965; 2011, 8, 1041», P«Поверхность: рентгеновские, синхротронные и ядерные исследования - 2009, P6, 888; 2010, 1, 45» и докладывались в Международных Научных Конференциях («СВЧ-техника и Телекоммуникационные технологии, - Крымико. г. Севастополь - 2009, 2010», «Полупроводники 09, PТомск - 2009», «Актуальные Проблемы Радиофизики , Томск - 2010» и др.).В докторской диссертации Р.К.Мамедова на тему «Электрофизические свойства реальных контактов металл - полупроводник» (Баку-2004) [3] детально изложены физические основы явления возникновения ДЭП и обусловленные с ним электрофизические, термоэлектронные и конструктивно-технологические процессы в реальных КМП.P Впоследствии всесторонние исследования образования ДЭП в реальных КМП и его особенности в зависимости от природы контактирующих материалов, конфигурации и геометрических размеров контактных структур, типа проводимости и концентрации примесей полупроводника проводились в кандидатской диссертационной работе сотрудника кафедры Физики Полупроводников Томского Государственного Университета В.А.Новикова под научным руководствомP д.ф.м.н., профессора И.В.Ивонина и к.ф.м.н. Н.А.Тхорика на тему «Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок А3В5 иP контактов металл / А3В5 методом Атомно-Силовой Микроскопии» (Томск-2010)[4]. В этой диссертации, в частности, представлены результаты непосредственного измерения ДЭП с методикой АСМ на контактах металлов (Au, Ni, Ti, Pd) с полупроводниками (n-GaAs, n+- GaAs , p - GaAs), феноменологическая модель распределения потенциала ДЭП вдоль свободной и контактной поверхностей, ряд новейших и важнейших научных результатов Pпо КМП, предсказанных на основе теоретических предпосылок, изложенных в монографии [2].Явление возникновения ДЭП в реальных КМП позволяет открывать новые научные направления PPв области физики полупроводников и полупроводниковых приборов, твердого тела, Pтонких пленок,P поверхности, нанофизики, микроэлектроники,PP фотоэлектроники,P биоэлектроники, наноэлектроники и др. Это явление позволяет более глубоко и детально интерпретировать Pпроцессы, происходящие в реальных контактных структурах конденсированных сред.Явление ДЭП может привести к открытию нового источника энергии и в тоже время является научной основой для повышения качества и расширения функциональных возможностей многочисленных дискретных полупроводниковых приборов, микросхем и наносхем на основе КМП структур. Данные структуры составляют элементную базу всех видов приборов и установок современной электронной техники. Уже разработан [5] КМП преобразователь световой энергии в электрическую, где ток фотоэдс превышает темновой ток более чем в 1000 раз. Между тем в аналогичном КМП преобразователе без ДЭПP ток фотоэдс превышает темновой ток всего около 10 раз. Кроме того, недавно выявлены [6] новые свойства КМП с ДЭП, в которых обратный ток полностью отсутствует при начальных напряжениях и скачкообразно растет при дальнейшем увеличении напряжения.

Рис. 1.СхематическиеP изображения контакта металл полупроводник безДЭП (а)P и с ДЭПP (b). АСМ изображения рельефаP (с) Pи распределения поверхностногоP потенциала (d) контакта Au - nGaAs c диаметром 15 мкм.

Сущность нового физического явления ДЭП заключается в следующем. Согласно теоретической модели Шоттки [2], если определенная поверхность металла с работой выхода ФМ непосредственно контактируется с поверхностью полупроводника n типа с работой выхода ФS и ФМ ФS, то КМП обладает омическими свойствами и схематически изображается как на рисунке 1а. В действительности, при непосредственном контакте металла с полупроводником, работы выхода (~ 4-5 эВ) их свободных поверхностей, примыкающих контактной поверхности остаются неизменными, аP высота потенциального барьера контактной поверхности становитьсяP порядка 1 эВ. Возникновение контактной разности потенциалов между контактной поверхностью и примыкающими к ней свободными поверхностями металла и полупроводника образует ДЭП с интенсивностью EF вокруг боковой области металла, которое при микро- и нано КМП полностью охватывает приконтактную область полупроводника, как это схематично представлено на рисунке 1(b). АСМ Pизображение рельефа Au nGaAs диодов Шоттки с диаметром 15 mkm представлено на рисунке 1с, где четко виден одиночный круглый контакт золота.P АСМ изображение распределения контактной разности потенциалов (КРП) между остриемP иглы кантилевера (зонда) иP поверхностьюP Au nGaAs диода Шоттки представлено на рисунке 1 d. Видно, что КРПP в области металла значительно меньше КРП свободной поверхности PnGaAs за пределами контакта. По мере удаления от периметра контакта значение КРП постепенно увеличивается от минимального, равного КРП поверхности металла, до максимального, равного КРП свободной поверхности полупроводника. При этом под действием ДЭП вокруг круглого контакта наблюдается осесимметричная протяженная переходная область (ореол) шириной около 15 mkm с КРП, отличной от КРП свободной поверхности полупроводника. PPPPPPВ интервале ширины ореола КРП меняется почти линейно.В монографииP [2] подробно описаны исторические этапы развития физики КМП, физические основы образования ДЭП, энергетические модели формирования действующих потенциальных барьеров, механизмы и аналитические формулы токопрохождения на основе теории термоэлектронной эмиссии в присутствии ДЭП, методики определения эффективных электрофизических и геометрических параметров реальных КМП, сравнительный анализP существующих литературных материалов в интерпретациях с ДЭП процессами. Она помещена в сайтах интернета со свободным использованием: www.elibrary.bsu.az/fizika; ; ; ; www.google.ru; ; ; ;P ;P ; ; и др.

На физическом факультете Бакинского Государственного Университета в результате многолетних научно - исследовательских Pработ в области физики конденсированных сред, проведенныхP под научным руководством проф. Р.К.Мамедова, было установлено [1] неизвестное ранее физическое явление возникновения дополнительного электрического поля (ДЭП) в реальных контактах металл полупроводник (КМП). Эта структура является основным физическим элементом практически всех видов дискретных полупроводниковых приборов и компонентов интегральных микро- и наносхем. В последние годыP явление ДЭП стало важным объектом экспериментальных исследований с помощью современной Атомно - Силовой Микроскопии (АСМ) в таких известных Научных Центрах как Томский Государственный Университет иP Научно Исследовательский Институт Полупроводниковых приборовP Российской Федерации.

Впервые установленное физиками БГУ Pэлектрофизическим и термоэлектрическим методами дополнительное электрическое поле (ДЭП) в реальных контактах металл полупроводник (КМП) недавно непосредственно измерено с помощью современной Атомно - Силовой Микроскопии и детально исследовано в Научных центрах России. Уже разработаны КМП диоды с ДЭП, имеющие абсолютно новые свойства, которые являются очень необходимыми для развития современной микроэлектроники и нанотехнологии.

ЯВЛЕНИЕ ДЭП В КМП ФИЗИКОВ БАКИНСКОГО УНИВЕРСИТЕТА В УНИКАЛЬНЫХ ЭКСПЕРИМЕНТАХ РОССИЙСКИХ УЧЕНЫХ